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- 产品描述
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适用工艺
适用于采用银膜、银膏等连接材料工艺
功能介绍
1、适用工艺：冷贴合、热贴预烧结、热贴烧结等工艺
2、适合产品：IGBT、SiC，射频功率器件，大功率激光器等
3、贴头特点：360°旋转+压力 30Kg+300℃加热高温，压力和温度值精度±1%
4、平台特点：具备350℃加热高温+真空吸附+氮气保护
5、X/Y精 度 ：±10um@3σ
6、可 In-Line 生 产 和 离 线 生 产
7、具 备 自 动 8 寸 Wafer 、 4 寸 Tray 等 自 动 上 下 料 系 统
8、作 业 区 域 ：400*300mm（ 长 * 宽 ）
技术参数
贴片种类 银膜、银膏、芯片、电阻、铜片、锡片、金锡片等等 适合工艺 兼容银膜和银膏工艺 Wafer Table（选配） 8″（有效工作区域：φ200mm） 轨道宽度 400*300mm（标准） 轨道工作高度 950±20mm Tray 尺寸（选配） 4″ 飞达（选配） 2套（最多） 银膜供料治具尺寸（选配） 260*80mm（片料） die size 0.2*0.2~25*25mm 以内 die thickness 0.05~5mm 多针顶针（音圈电机式） 自主设定（精度±0.005mm） 顶针系统温度 ＜100℃ X/Y placement accuracy ±10um@3σ Theta placement accuracy ±0.1°@3σ 效率（UPH） UPH1200~1500 贴头压力及精度 ≤30Kg±2% 贴头温度及精度 300℃±2% 支持自动更换加热贴头 有 贴合平台温度 300℃±2% 点胶系统（选配） 针筒容量 5cc 或 10cc 设备优势
●不需要更换轨道上加热基板底座，直接兼容行业产品
●设备占地面积行业最小
●压力精度可达 1%，并且压力设定时间不受限定，行业内一般时间为最长 3~5 秒
●芯片刺晶头带温度加热和力控，有效保证芯片刺晶良率
●可自动更换热压贴合头。
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